早稲田大学ら、ステップアンバンチング現象を発見：SiCウエハー表面の平たん化に貢献

プロセスは比較的シンプルで、加工によるダメージ層もないという。 パワーデバイスの材料としてSiCが注目されている。SiCパワーデバイスを採用することで、応用関連キーワードはありません